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IRF6613
1000.0
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100.0
10.0
TJ = 150°C
100
10
1
100μsec
1.0
0.1
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.01
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
10
100
1000
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
150
2.5
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
120
2.0
90
60
1.5
I D = 250μA
30
0
1.0
0.5
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
100
D = 0.50
TJ , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ 4
τ τ C
0.1
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
A τ
Ri (°C/W)
0.6784
17.299
17.566
τ i (sec)
0.00086
0.57756
8.94
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
9.4701 106
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
4
www.irf.com
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